Memoria RAM: glosario de términos para comprender esta memoria

Actualizado a: 22 de enero de 2024

La memoria RAM es uno de los componentes más básicos de un ordenador, pero sigue siendo una desconocida para muchos. Además, la cantidad de términos, o especificaciones técnicas, que existen, hacen que sea complicado a la hora de elegir el módulo adecuado cuando no se sabe a qué se refieren. Por eso, en este artículo te mostraremos un glosario para que lo sepas todo:

JEDEC

JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) es un comité de estándares industriales que se dedica a desarrollar y establecer estándares para la industria de semiconductores, incluyendo la memoria RAM (Random Access Memory), aunque también lo hacen para otros tipos de memoria, como la HBM, la VRAM, o la memoria flash.

En el campo de la memoria RAM, JEDEC define especificaciones y estándares para asegurar la compatibilidad y la interoperabilidad entre los diferentes fabricantes de memoria. Estas especificaciones cubren aspectos técnicos clave, como la velocidad de transferencia de datos, el formato físico de los módulos de memoria, los voltajes de operación y las señales de temporización.

JEDEC ha desarrollado varios estándares de memoria RAM a lo largo de los años, incluyendo DDR (Double Data Rate), DDR2, DDR3, DDR4 y DDR5. Cada uno de estos estándares define características específicas de la memoria, como la velocidad de reloj, la capacidad máxima de almacenamiento y las mejoras en la eficiencia y el rendimiento.

Estos estándares de JEDEC son adoptados por los fabricantes de hardware de la industria de la memoria RAM, lo que garantiza que los módulos de memoria sean compatibles con las placas base y otros componentes del sistema. También ayudan a los consumidores a identificar y seleccionar la memoria adecuada para sus necesidades, asegurando un nivel de calidad y confiabilidad en los productos de memoria RAM.

SDRAM

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria RAM que se utiliza comúnmente en ordenadores y otros dispositivos electrónicos. A diferencia de las tecnologías de memoria RAM anteriores, como la DRAM convencional, la SDRAM está sincronizada con la velocidad de reloj del sistema, lo que permite una transferencia de datos más rápida y eficiente.

La SDRAM funciona mediante un bus de datos sincronizado con el bus del sistema. Esto significa que las operaciones de lectura y escritura se realizan en sincronía con la señal de reloj del sistema, lo que permite un acceso más rápido a los datos. Además, la SDRAM utiliza un sistema de columnas y filas para organizar los datos, lo que reduce los tiempos de espera y mejora aún más el rendimiento.

Una característica importante de la SDRAM es su capacidad de acceder a múltiples celdas de memoria en una sola operación, lo que se conoce como «burst mode» o modo ráfaga. Esto permite transferir rápidamente una secuencia de datos consecutivos a través del bus de datos, mejorando la eficiencia de transferencia.

A lo largo de los años, se han desarrollado diferentes estándares de SDRAM, como SDR SDRAM (Single Data Rate SDRAM), DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM), etc.

En una memoria SDRAM, cada celda de memoria está compuesta por un transistor y un condensador. El transistor actúa como un interruptor y el condensador se utiliza para almacenar la carga eléctrica que representa el bit de datos.

Operaciones de la SDRAM

El funcionamiento de la celda de memoria SDRAM implica la lectura, escritura y refresco de los datos almacenados. Aquí está un resumen de cómo funciona cada operación:

• Lectura o read: durante una operación de lectura, se aplica una señal de dirección para seleccionar la fila y columna correspondiente a la celda de memoria deseada. Luego, se activa el transistor de la celda de memoria seleccionada, permitiendo que la carga almacenada en el condensador se amplifique y se lea como un valor binario.
• Escritura o write: durante una operación de escritura, se aplica una señal de dirección para seleccionar la fila y columna de la celda de memoria objetivo. Luego, se carga el valor binario deseado en el condensador de la celda de memoria. El transistor también se activa para permitir que el condensador se cargue o descargue según corresponda.
• Refresco o refresh: las celdas de memoria SDRAM requieren un proceso de refresco periódico para mantener la integridad de los datos almacenados. Esto implica leer y luego reescribir los datos en cada celda de memoria para mantener su carga eléctrica. El proceso de refresco se lleva a cabo en segundo plano y es esencial para evitar la pérdida gradual de datos.

Capacidad

La capacidad de una memoria RAM se refiere a la cantidad de datos que puede almacenar y acceder en un momento dado. Se puede medir en unidades de bytes (B), kilobytes (KB), megabytes (MB), gigabytes (GB), terabytes (TB) y, en la actualidad, también en petabytes (PB) cuando estamos hablando en términos de HPC.

Recuerda 8 bits = 1 byte

La capacidad de una memoria RAM se determina por la cantidad de celdas de memoria que contiene el módulo o el chip de memoria. Cada celda de memoria puede almacenar un bit. Multiplicando la cantidad de celdas por la capacidad de cada celda, se obtiene la capacidad total de la memoria RAM. Por ejemplo, si tenemos 8 millones de celdas de 1 bit, entonces tenemos 1 GB de memoria total.

Relacionado con la capacidad también tenemos el término densidad de memoria, aunque este no sea tan frecuente verlo en las diferentes descripciones del producto o especificaciones técnicas. Se refiere a la densidad o capacidad por unidad de superficie que pueden albergar los chips de SDRAM. Evidentemente, esto dependerá mucho del tipo de celdas usadas y de la tecnología de fabricación.

Frecuencia

La frecuencia de reloj se refiere a la velocidad a la cual la memoria RAM puede operar y transferir datos. También se conoce como velocidad de reloj o frecuencia de bus. Se mide en Hercios (Hz) y representa la cantidad de ciclos completados por segundo. Cada ciclo de reloj corresponde a una unidad básica de tiempo en la que se realizan operaciones de lectura o escritura. Es decir, determinará la velocidad máxima a la que se pueden transferir datos.

Por ejemplo, una memoria RAM actual puede trabajar a 3200 Mhz de base o reales. Si tenemos en cuenta que es DDR, entonces tenemos que podría trabajar a unos 6400 Mhz, lo que se podría traducir en 6400 MT/s.

Es importante tener en cuenta que la frecuencia de reloj de la memoria RAM debe ser compatible con la placa base y el procesador del sistema.

Recuerda que como la transferencia por el ancho del bus es de 64-bit al mismo tiempo, una DDR SDRAM podría transmitir a T = F x 2 x 64 / 8. Es decir, el número de bytes por segundo transferidos es igual a la frecuencia del bus de memoria, por dos (por ser Dual Rate), por 64 (por el ancho de bus) y dividido todo ello entre 8 (número de bits por cada byte para que salga en bytes). Entonces, si tenemos una memoria que tiene una frecuencia de bus de 3200 Mhz, se puede calcular que el ancho de banda en esta memoria es de [(3200×2) x 64] / 8. Esto sería 6400×64/8 o 409600/8=51200 MB/s. O lo que es lo mismo, 51,2 GB/s por cada canal.

Ancho de banda

Ya en el apartado anterior hemos calculado estos términos, ya que están íntimamente relacionados con la frecuencia, pero ahora vamos a ver qué son realmente.

El ancho de banda de la memoria RAM (Random Access Memory) se refiere a la cantidad máxima de datos que la memoria puede transferir en un período de tiempo determinado. Se expresa en unidades de datos por segundo, como megabytes por segundo (MB/s) o gigabytes por segundo (GB/s).

El ancho de banda de la memoria RAM está influenciado por varios factores, como la frecuencia de reloj de la memoria, la cantidad de canales de memoria utilizados y el ancho del bus de datos. Cuanto mayor sea la frecuencia de reloj y mayor sea el ancho del bus de datos, mayor será el ancho de banda de la memoria RAM.

Sin embargo, es importante tener en cuenta que el ancho de banda teórico es la capacidad máxima teórica de la memoria RAM y puede ser afectado por otros factores del sistema, como la latencia y el controlador de memoria utilizado. El rendimiento real de la memoria RAM puede ser menor que el ancho de banda teórico debido a diversas limitaciones y consideraciones de diseño.

Voltaje

El voltaje se refiere al nivel de tensión eléctrica requerido para el funcionamiento adecuado de los módulos de memoria RAM. Puede variar dependiendo del tipo y la generación de la memoria utilizada. Según el tipo de memoria puede trabajar a uno u otro voltaje, por ejemplo, la memoria DDR2 operaba a 1.8V, la DDR3 a 1.5V, la DDR4 a 1.2V, y los 1.1V de la DDR5. .

Módulo (rank)

Un módulo de memoria RAM se refiere a la placa PCB que contiene los distintos chips de memoria que lo componen, haciendo un total de capacidad. Estos módulos pueden tener diferentes factores de forma o ser de diferentes tipos, como veremos en el siguiente apartado. Además, poseen unos conectores o pines que sirven de contacto cuando se insertan en la ranura o slot de la placa base, así como una mueca para asegurarse de la correcta inserción.

Factores de forma DIMM

El factor de forma se refiere a tipos de módulos de memoria utilizados en computadoras y otros dispositivos electrónicos para ampliar la capacidad de memoria RAM. Estos módulos son estándares físicos que determinan el tamaño y la forma de los módulos de memoria, así como la disposición de los pines de conexión. En este caso tenemos (solo citaré los actuales):

• DIMM (Dual In-Line Memory Module): es el tipo más común de módulo de memoria utilizado en computadoras de escritorio y servidores. Los módulos DIMM son más grandes que los SO-DIMM y generalmente tienen una altura mayor. Vienen en varias generaciones, como DDR, DDR2, DDR3, DDR4 y DDR5, y se conectan a través de una ranura DIMM en la placa base. Los DIMM son ampliamente utilizados en computadoras de escritorio, estaciones de trabajo y servidores donde se necesita una mayor capacidad de memoria.
• SO-DIMM (Small Outline DIMM): es un tipo de módulo de memoria más pequeño y compacto diseñado para computadoras portátiles, mini PC, sistemas embebidos y otros dispositivos con limitaciones de espacio. Los módulos SO-DIMM son más cortos y tienen menos pines en comparación con los DIMM. Al igual que los DIMM, también están disponibles en varias generaciones, como DDR, DDR2, DDR3, DDR4 y DDR5. Los SO-DIMM se insertan en ranuras SO-DIMM en la placa base de dispositivos portátiles o pequeños.
• Micro-DIMM: es un tipo de módulo de memoria aún más pequeño utilizado en dispositivos de factor de forma muy reducido, como tabletas, dispositivos ultraportátiles y sistemas embebidos compactos. Los módulos Micro-DIMM son aún más cortos y más pequeños que los SO-DIMM, y se utilizan en situaciones donde el espacio es extremadamente limitado. También están disponibles en varias generaciones, como DDR, DDR2, DDR3 y DDR4.

Recuerda que las versiones de bajo consumo, como las LPDDR4, LPDDR5, etc., no vienen en módulos, sino que directamente se sueldan los chips a la placa base.

Número de pines

El número de pines puede variar dependiendo de la generación y el tipo específico de DDR. A continuación se muestran los números de pines comunes para cada generación de memoria DDR:

• DDR: tienen 184 pines.
• DDR2: tienen 240 pines.
• DDR3: tienen 240 pines.
• DDR4: tienen 288 pines.
• DDR5: también tienen 288 pines, por eso las placas base pueden ser compatibles con ambos estándares.

Es importante tener en cuenta que estos números de pines corresponden a los módulos DIMM utilizados en computadoras de escritorio y servidores. Los módulos SO-DIMM utilizados en computadoras portátiles tienen un número inferior que los DIMM, y lo mismo para los Micro-DIMM…

Generación DDR

A lo largo de los años, se han desarrollado varias generaciones de memoria DDR con mejoras en velocidad, capacidad y eficiencia energética. A continuación, se presentan las diferentes generaciones de memoria DDR y sus características principales:

• DDR (DDR1): fue la primera generación de memoria DDR. Se caracterizaba por transferir datos en ambos flancos de la señal de reloj, duplicando así la velocidad en comparación con la memoria SDR (Single Data Rate) anterior. Operaba a voltajes de 2.5V y tenía una velocidad de transferencia de datos de hasta 200 MHz. La capacidad típica de los módulos DDR era de 256 MB a 1 GB.
• DDR2: fue una mejora significativa en comparación con DDR1. Presentaba velocidades más rápidas y una mayor eficiencia energética. Operaba a voltajes más bajos de 1.8V y tenía una velocidad de transferencia de datos que variaba desde los 400 MHz hasta los 1,066 MHz. Los módulos DDR2 tenían una capacidad típica de 512 MB a 4 GB.
• DDR3: continuó la tendencia de aumentar la velocidad y reducir el consumo de energía. Operaba a voltajes de 1.5V y tenía velocidades de transferencia de datos que iban desde los 800 MHz hasta los 2,133 MHz. La capacidad típica de los módulos DDR3 era de 1 GB a 16 GB. Además, DDR3 introdujo mejoras en la tecnología de corrección de errores y mayor ancho de banda.
• DDR4: representa otra mejora en velocidad, capacidad y eficiencia energética en comparación con DDR3. Operando a voltajes de 1.2V, la velocidad de transferencia de datos de DDR4 va desde los 2,133 MHz hasta los 4,266 MHz (aunque velocidades más altas están disponibles). Los módulos DDR4 tienen una capacidad típica que va desde 4 GB hasta 128 GB. DDR4 también introduce tecnologías adicionales de corrección de errores y una mayor densidad de memoria.
• DDR5: la última generación de memoria DDR, por el momento. Se introdujo con el objetivo de ofrecer un mayor rendimiento y eficiencia para aplicaciones de alto rendimiento. DDR5 opera a voltajes más bajos (1.1V) y tiene velocidades de transferencia de datos que comienzan en 3,200 MHz y pueden llegar hasta 6,400 MHz (o más). También presenta características mejoradas como mayor ancho de banda, mayor capacidad por módulo y mayor eficiencia energética en comparación con DDR4.

Recuerda que existen estándares como la GDDR6 o la GDDR6X que están más avanzados, pero que no se refiere a memoria RAM principal, sino a la VRAM de la tarjeta gráfica.

Canales

Con canales nos referimos a la cantidad de conexiones físicas entre la memoria RAM y el controlador de memoria en la placa base. Cada canal de memoria proporciona un camino adicional para la transferencia de datos, lo que puede mejorar el rendimiento y la capacidad de ancho de banda de la memoria RAM.

El número de canales de memoria que puede depender de la configuración de la placa base y del controlador de memoria utilizado. A continuación se presentan algunas configuraciones comunes:

• Un solo canal (Single Channel): el módulo o módulos existentes se conectan a un único canal de memoria en la placa base. Esto significa que solo hay una ruta de transferencia de datos entre la memoria RAM y el controlador de memoria. Esta es la configuración más básica y tiene un menor rendimiento en comparación con las configuraciones de múltiples canales.
• Doble canal (Dual Channel): se conecta a dos canales de memoria en la placa base. Esto permite que los datos se transfieran simultáneamente a través de los dos canales, lo que mejora el rendimiento y la capacidad de ancho de banda en comparación con el modo de un solo canal. Para aprovechar el modo de doble canal, se deben instalar módulos de memoria en pares idénticos en los ranuras correspondientes.
• Cuádruple canal (Quad Channel): Esta configuración es más avanzada y se encuentra en algunas placas base específicas diseñadas para procesadores de alto rendimiento, como los procesadores Intel Core X-Series y los procesadores AMD Ryzen Threadripper. En esta configuración, la memoria RAM se conecta a cuatro canales de memoria en la placa base, lo que ofrece un mayor rendimiento y capacidad de ancho de banda en comparación con las configuraciones de menor número de canales.

Existen otras configuraciones, pero no son tan frecuentes, como la Tri-Channel, o la Octa-Channel…

Latencia (timming)

La latencia se refiere al tiempo que tarda la memoria en responder a una solicitud de lectura o escritura de datos. Está determinada por una serie de parámetros conocidos como timing o latencias, que especifican los diferentes pasos y retrasos involucrados en el acceso a la memoria.

Es curioso, pero a medida que avanzan las generaciones, la latencia va siendo superior, aunque compensa el salto de rendimiento. Por ejemplo, una DDR4 puede tener una latencia CAS de 15, mientras que la DDR5 sería de por ejemplo 40…

A continuación, se explican los principales timings o latencias asociados con la memoria RAM:

• CAS Latency (CL): Latencia de Columna de Acceso, es uno de los timings más importantes. Indica el número de ciclos de reloj que transcurren desde que se emite una solicitud de lectura o escritura hasta que los datos están disponibles en la salida. Un valor de CAS Latency más bajo indica una respuesta más rápida de la memoria. Por ejemplo, un valor de CL 15 significa que la memoria tardará 15 ciclos de reloj en entregar los datos.
• RAS-to-CAS Delay (tRCD): este timing especifica el número de ciclos de reloj que se requieren para cambiar la dirección de una fila activada a una columna activada. Indica el tiempo que lleva acceder a los datos en una ubicación específica dentro de una fila.
• RAS Precharge Time (tRP): representa el tiempo que se necesita para desactivar una fila de memoria y prepararla para una próxima operación de lectura o escritura. Indica el tiempo que tarda la memoria en liberar una fila activada.
• Active to Precharge Delay (tRAS): se refiere al tiempo que se debe esperar después de una operación de lectura o escritura antes de poder activar otra fila en la memoria. Indica el tiempo mínimo que debe pasar antes de acceder a una nueva fila después de completar una operación en la fila anterior.

Estos son solo algunos ejemplos de los principales timings utilizados en la memoria RAM. Otros timings menos comunes pueden incluir el Command Rate (CR), el Four Activate Window (FAW), el Write Recovery Time (tWR), entre otros.

Pre-fetch

El prefetch (precarga) es una técnica utilizada en la memoria RAM para anticipar y acelerar el acceso a los datos. Consiste en la anticipación de las solicitudes de datos y la carga de los mismos en la memoria cache de la CPU antes de que sean necesarios para su uso.

Cuando se realiza una lectura de datos en la memoria RAM, es probable que se acceda a datos adyacentes en ubicaciones de memoria cercanas. El prefetching aprovecha esta característica al anticipar qué datos se necesitarán a continuación y cargarlos en la memoria cache de la CPU. De esta manera, cuando la CPU solicita esos datos, ya están disponibles en la memoria cache, lo que reduce significativamente el tiempo de acceso en comparación con si tuviera que acceder a la memoria RAM principal.

El prefetching puede realizarse de diferentes formas, como:

• Prefetching basado en direcciones: la memoria RAM realiza un seguimiento de los patrones de acceso a la memoria y utiliza algoritmos para anticipar qué direcciones de memoria se accederán a continuación. Luego, la memoria RAM carga esos datos en la memoria cache de la CPU antes de que sean solicitados.
• Prefetching basado en instrucciones: el procesador analiza el flujo de instrucciones del programa y trata de predecir qué datos se necesitarán en futuras instrucciones. Luego, solicita a la memoria RAM que precargue esos datos en la memoria cache.

DFE (Decision Feedback Equalization)

DFE (Decision Feedback Equalization) es una técnica utilizada en las comunicaciones digitales para mitigar los efectos de la interferencia y la distorsión en las señales transmitidas a través de canales de comunicación imperfectos. Su objetivo principal es mejorar la calidad y la confiabilidad de la transmisión de datos.

En un sistema de comunicaciones, las señales pueden sufrir degradación debido a varios factores, como el ruido, la interferencia y la atenuación del canal. Esto puede resultar en errores de bits y distorsión de la señal. La equalización es el proceso de compensar y corregir estas distorsiones para recuperar la señal original lo más fielmente posible.

Codificación: PAM4 vs NRZ…

Existen varios tipos de codificación utilizados en la memoria RAM y otros sistemas de comunicación para representar y transmitir datos de manera eficiente y confiable. A continuación, se presentan algunos de los tipos de codificación comunes utilizados en la memoria RAM:

• NRZ (Non-Return-to-Zero): los bits se representan mediante niveles de tensión constantes durante todo el intervalo de bit. Un nivel de tensión constante representa un bit ‘1’ y otro nivel de tensión constante representa un bit ‘0’. No hay transiciones de nivel de tensión en el medio de un bit. El NRZ puede ser de polaridad positiva o negativa, dependiendo de cómo se elijan los niveles de tensión para representar ‘1’ y ‘0’.
• NRZI (Non-Return-to-Zero Inverted): los bits se representan mediante cambios o la falta de cambios en el nivel de tensión. Un cambio en el nivel de tensión representa un bit ‘1’, mientras que la falta de cambio en el nivel de tensión representa un bit ‘0’. La codificación NRZI evita la ambigüedad en la detección de bits ‘0’ consecutivos y se utiliza en algunos estándares de memoria RAM.
• PAM (Pulse Amplitude Modulation): la modulación por amplitud de pulsos es una técnica que utiliza diferentes amplitudes de pulsos para representar múltiples niveles de señal. En la memoria RAM, la codificación PAM se utiliza en tecnologías como PAM4 (4 niveles de amplitud) y PAM8 (8 niveles de amplitud) para transmitir más datos en un solo pulso.
• Manchester Encoding: divide cada bit en dos mitades y asigna transiciones de nivel de tensión a cada mitad. Una transición de nivel de tensión de alto a bajo representa un bit ‘1’, mientras que una transición de bajo a alto representa un bit ‘0’. La codificación de Manchester garantiza una transición de nivel de tensión en cada bit y facilita la sincronización y detección de errores.
• …

ECC

ECC (Error-Correcting Code) es un tipo de memoria que incluye capacidades de corrección de errores. A diferencia de la memoria RAM convencional, que se conoce como RAM no ECC o RAM convencional, la RAM ECC tiene la capacidad de detectar y corregir errores de bits en tiempo real.

Los errores de bits pueden ocurrir en la memoria RAM debido a varias razones, como interferencias electromagnéticas, fallas en los chips de memoria o errores de transmisión. Estos errores pueden alterar los datos almacenados en la memoria y pueden llevar a resultados incorrectos o inestabilidad del sistema.

ECC utiliza algoritmos de corrección de errores para detectar errores de bits. Lo hace mediante los bits de paridad o los códigos de corrección de errores.

Registered / Buffered

La memoria RAM registered (también conocida como memoria RAM registrada o buffered RAM) es un tipo de memoria RAM utilizado en sistemas que requieren una mayor capacidad de memoria y una mayor estabilidad en comparación con la memoria RAM convencional.

La característica principal es la inclusión de un registro o buffer en cada módulo de memoria. Este registro actúa como un búfer entre la memoria RAM y el controlador de memoria, lo que ayuda a mejorar la estabilidad y el rendimiento del sistema. El registro permite controlar y amplificar las señales de entrada y salida de la memoria, lo que reduce la carga eléctrica en la memoria y mejora la integridad de las señales.

Algunas de las ventajas de la memoria RAM registered incluyen:

• Mayor capacidad: La memoria RAM registered permite aumentar la capacidad total de memoria en un sistema. Los registros actúan como intermediarios entre el controlador de memoria y los módulos de memoria, lo que permite una mayor capacidad de direccionamiento y la capacidad de utilizar más módulos de memoria en el sistema.
• Mayor estabilidad y confiabilidad: la inclusión de registros en la memoria RAM registered ayuda a mejorar la integridad de las señales y reduce el ruido y la interferencia eléctrica. Esto resulta en una mayor estabilidad y confiabilidad del sistema, especialmente en entornos con altas cargas de trabajo o configuraciones de memoria exigentes.

La memoria RAM registered se utiliza comúnmente en servidores, estaciones de trabajo de alto rendimiento y sistemas de misión crítica donde se requiere una alta capacidad de memoria y una alta estabilidad. Sin embargo, debido a su diseño y características adicionales, la memoria RAM registered suele ser más costosa que la memoria RAM convencional y puede no ser compatible con todas las placas base y sistemas. Es importante verificar la compatibilidad del sistema antes de utilizar memoria RAM registered.

La memoria unbuffered es la que no tiene este registro o buffer, como es lógico…

RCD o (Register Clock Driver)

RCD (Register Clock Driver), es un componente utilizado en módulos de memoria principal para controlar el flujo de señales de reloj y datos entre el controlador de memoria y los chips de memoria. El RCD actúa como un búfer entre el controlador de memoria y los chips de memoria en un módulo de memoria. Su función principal es asegurar una transmisión precisa y sincronizada de señales de reloj y datos, ayudando a mejorar la estabilidad y el rendimiento del sistema.

SPD (Serial Presence Detect)

SPD (Serial Presence Detect) es una característica de los módulos de memoria RAM que proporciona información sobre las especificaciones y configuraciones del módulo. El SPD es un pequeño chip de memoria EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) integrado en los módulos de memoria RAM que almacena información sobre el fabricante, la capacidad, la velocidad, el tiempo de latencia y otros parámetros del módulo.

La función principal del SPD es permitir que el sistema operativo y el BIOS/UEFI del sistema detecten automáticamente y configuren correctamente el módulo de memoria RAM sin necesidad de intervención manual. Al insertar un módulo de memoria RAM en una placa base compatible, el sistema leerá la información del SPD para obtener los detalles específicos del módulo y ajustar automáticamente la configuración de memoria adecuada.

El SPD contiene información como el fabricante o código de éste, la capacidad, velocidades soportadas, perfiles de rendimiento soportados, y otros parámetros como la latencia, etc., para poder configurarla de forma óptima.

PMIC

Los módulos DDR5 cuentan con circuitos integrados de administración de energía (PMIC o Power Manager Integrated Circuit), que ayudan a regular la energía requerida por los diversos componentes del módulo de memoria (DRAM, registro, concentrador SPD, etc.). Para los módulos de clase servidor, el PMIC usa 12 V y para los módulos de clase PC, el PMIC usa 5 V.

Gracias al PMIC, permite una mejor distribución de energía que en los módulos de las generaciones anteriores, mejora la integridad de la señal y reduce el ruido.

Organización 64Mx4, 128Mx4, 1Rx8 y 1Rx16

La organización de memoria se refiere a la estructura y disposición de los chips de memoria en un módulo de memoria. Esta organización se representa utilizando una notación específica que indica el número de filas, columnas y bancos en el arreglo de memoria. A continuación, se explican algunos ejemplos comunes de organización de memoria:

• 64Mx4: en esta notación, «64M» se refiere a la capacidad total de la memoria expresada en megabits, mientras que «4» indica el número de bits de datos por celda de memoria. Por lo tanto, un módulo de memoria 64Mx4 tiene una capacidad total de 64 megabits y cada celda de memoria almacena 4 bits de datos.
• 128Mx4: similar al ejemplo anterior, un módulo de memoria 128Mx4 tiene una capacidad total de 128 megabits, pero cada celda de memoria almacena 4 bits de datos.
• 1Rx8: en esta notación, «1R» se refiere a una sola fila de chips de memoria, mientras que «8» indica el número de bits de datos por celda de memoria. Por lo tanto, un módulo de memoria 1Rx8 tiene una fila de chips de memoria y cada celda de memoria almacena 8 bits de datos.
• 1Rx16: similar al ejemplo anterior, un módulo de memoria 1Rx16 tiene una fila de chips de memoria, pero cada celda de memoria almacena 16 bits de datos.

Disipador

El disipador de una memoria RAM no es más que una placa de aluminio o de cobre para que entre en contacto con los chips de memoria del módulo y que pueda disipar mejor el calor emitido, manteniendo temperaturas algo más bajas. Muchos módulos de alto rendimiento que trabajan a frecuencias elevadas los tienen. También puede ser positivo para los casos de overclocking.

Rango de temperatura de funcionamiento

Existe un sensor de temperatura integrado en los módulos para saber a qué temperatura trabaja el chip.

Es el rango de temperatura que el fabricante estima oportuno para que la memoria trabaje de forma adecuada. Por ejemplo, puedes ver en algunas descripciones 0ºC a 85ºC. Esto quiere decir que por debajo de los 0ºC y por encima de los 85ºC podrían surgir problemas.

Intel XMP / AMD EXPO

Intel XMP/AMD EXPO (Extreme Memory Profile/Extreme Memory Profile for AMD) es una tecnología desarrollada por Intel y AMD que permite a los usuarios overclockear o aumentar el rendimiento de la memoria RAM de su computadora de manera fácil y segura. El objetivo principal de Intel XMP/AMD EXPO es permitir que los módulos de memoria RAM funcionen a velocidades más altas de lo que se especifica como la configuración predeterminada por el fabricante.

Normalmente, los módulos de memoria RAM se ejecutan a velocidades y configuraciones predeterminadas establecidas por el fabricante. Sin embargo, con Intel XMP/AMD EXPO, los usuarios pueden seleccionar perfiles de rendimiento predefinidos o personalizados en el BIOS de la placa base para aumentar la velocidad de reloj, reducir las latencias y obtener un mayor rendimiento de la memoria RAM.

La función principal de Intel XMP/AMD EXPO es simplificar el proceso de overclocking de la memoria RAM al proporcionar perfiles predefinidos con configuraciones optimizadas. Estos perfiles contienen ajustes de velocidad de reloj, voltaje y tiempos de latencia que han sido probados y validados por Intel, AMD y los fabricantes de memoria.

Cuando se habilita Intel XMP/AMD EXPO en el BIOS/UEFI, el sistema lee automáticamente los perfiles de rendimiento del módulo de memoria y aplica las configuraciones correspondientes. Esto permite que la memoria RAM funcione a velocidades más altas y con tiempos de respuesta más rápidos, lo que resulta en un aumento del rendimiento del sistema, especialmente en aplicaciones que se benefician de una mayor capacidad de memoria y ancho de banda.

Fabricante de los chips vs Fabricante del módulo vs Marca

No hay que confundir estos tres términos, ya que no son lo mismo. Por ejemplo:

• Fabricante de los chips de memoria: hay muy pocos fabricantes, los tres más importantes son SK Hynix, Samsung y Micron Technologies.
• Fabricante del módulo: es el fabricante que compra los chips de memoria al primero y los vende bajo nombres como Kingston, Corsair, G.Skill, ADATA, etc.
• Marca: son marcas registradas de los anteriores fabricantes, como puede ser HYPERX, Vengeance, Spectrix, Dominator, Zenith, Trident, etc.

RGB

Para finalizar, también puedes ver términos como RGB o ARGB en algunos módulos gaming. Esto no es más que una cuestión estética, de luces que se puede ajustar en color y patrones para darle un toque especial, especialmente para los amantes del modding. Algunos módulos suelen integrar estos elementos en los disipadores, con diodos LED de colores.

Ahora bien, si te preguntas por las diferencias entre RGB y ARGB, hay que decir que ambos son dos sistemas de iluminación, pero tienen sus diferencias, como:

• RGB: significa Red, Green, Blue (Rojo, Verde, Azul). Es un sistema de iluminación en el que los dispositivos tienen LED individuales de los tres colores primarios: rojo, verde y azul. Estos LED pueden encenderse y apagarse independientemente y ajustarse en intensidad para crear una amplia gama de colores. Con RGB, es posible seleccionar cualquier color estático o configurar efectos de iluminación predefinidos, como cambios de color o transiciones suaves.
• ARGB: significa Addressable RGB (RGB direccionable). También utiliza los colores rojo, verde y azul, pero con una diferencia clave: cada LED individual puede controlarse de forma independiente. Esto significa que cada LED puede mostrar un color diferente al mismo tiempo, lo que permite efectos de iluminación más complejos y detallados. Con ARGB, es posible tener patrones de iluminación más avanzados, como ondas de colores, efectos de respiración y animaciones personalizadas.

Ahora ya conoces un poco más de la memoria, seguro que cuando compres la siguiente o leas acerca de este tema ya no te confundes…