Actualizado a: 23 de enero de 2024
Un equipo de investigadores de la Universidad de Tsinghua en Beijing ha desarrollado FlexRAM, un tipo de memoria RAM resistiva y totalmente flexible, construida con metal líquido.
Este avance, basado en el uso de galio líquido, representa una innovación significativa en el campo de la memoria informática y podría tener aplicaciones revolucionarias en diversos dispositivos tecnológicos.
FlexRAM utiliza galio, un metal con un punto de fusión muy bajo, lo que le permite ser flexible y resistente.
El funcionamiento de esta memoria se basa en procesos de oxidación y reducción que imitan la hiperpolarización y despolarización de las neuronas. Esto permite que el material se oxide (representando el valor «1») o se reduzca (representando el valor «0»), lo que facilita el almacenamiento y borrado de datos.
Aplicaciones potenciales y limitaciones
La FlexRAM podría ser especialmente útil en aplicaciones como dispositivos wearables, dispositivos flexibles e implantes, gracias a su naturaleza flexible y diminutas dimensiones.
Sin embargo, actualmente presenta limitaciones en términos de capacidad y velocidad. La versión actual de FlexRAM puede almacenar solo 1 byte de información y funciona a una velocidad de 33 Hz.
Además, la memoria es volátil, con una capacidad de retención de datos de aproximadamente 12 horas después de apagarse.
Desarrollo y futuro de FlexRAM
Aunque FlexRAM está en sus primeras etapas de desarrollo, su concepto ofrece un gran potencial para avanzar en la tecnología de memoria.
Los investigadores están trabajando en una versión no volátil de FlexRAM y explorando la posibilidad de reducir su escala a nivel nanométrico.
Con un desarrollo continuo, FlexRAM podría superar sus limitaciones actuales y abrir nuevas posibilidades en el mundo de la tecnología.
FlexRAM es un ejemplo emocionante de cómo la innovación puede llevar a descubrimientos tecnológicos significativos.
Aunque todavía está en desarrollo, su potencial para influir en el diseño y la funcionalidad de los dispositivos del futuro es considerable.
Este avance en la memoria RAM basada en metal líquido podría ser un precursor de una nueva generación de tecnologías de memoria.
