Actualizado a: 16 de abril de 2024
La memoria RAM es esencial para el rendimiento de cualquier sistema informático, pero ¿cuántos de nosotros conocemos realmente los diferentes tipos de módulos de memoria RAM disponibles en el mercado? Desde los DIMM hasta los SO-DIMM, cada tipo de memoria tiene sus propias características y ventajas. En este análisis detallado, exploraremos las diferencias entre estos módulos y dar a conocer aquellos que no son tan habituales para los usuarios.
Así que, vamos allá, vamos a ver todos los tipos de módulos de memoria RAM que existen en la actualidad:
DIP/DIL
Las memorias en formato DIP/DIL (Dual In-line Package/Dual In-line Lead) fueron usadas en algunas de las primeras memorias empleadas en la historia de los ordenadores. Este formato, comúnmente utilizado en la industria electrónica, presenta una disposición lineal de pines a ambos lados del encapsulado, permitiendo su inserción en zócalos o directamente soldarlo a la placa PCB, es decir, SMD (Surface Mount Device).
Este tipo de encapsulado se ha empleado tradicionalmente en diversas tecnologías de memoria, como las memorias RAM (Random Access Memory) y ROM (Read-Only Memory), así como en dispositivos de almacenamiento de datos más antiguos. La configuración DIP/DIL ofrece ventajas en términos de conectividad y facilidad de inserción, pero no sirven para memorias de altas capacidades debido a su limitación de pines de entrada y salida, que se limitarán por el tamaño de sus dos laterales.
Un ejemplo de estas memorias fue la DRAM NEC 8409 empleado en la industria aeroespacial o en ordenadores para uso militar. U otros ejemplos como el chip de memoria Intel 1103 de DRAM de 1 Kb de capacidad, el Motorola MC6847 que incluía un controlador de vídeo y RAM para el ordenador TRS-80 Color Computer, la DRAM de Texas Instruments TMS4116 de 16 Kb de la década de los 70, la Micron MT4C4001J de 4 Mb, y la Samsung KM416C256 de 256 Kb DRAM.
ZIP
ZIP (Zig-zag In-line Package) es otro tipo de encapsulado para circuitos integrados, comúnmente utilizado para dispositivos de memoria. El formato ZIP se caracteriza por tener pines dispuestos en una configuración zigzag a lo largo de los lados del encapsulado, en lugar de la disposición lineal tradicional. Esta configuración proporciona beneficios en términos de densidad de pines, lo que permite un mayor número de conexiones en un espacio más reducido en comparación con los encapsulados DIP (Dual In-line Package).
Un ejemplo de este tipo de encapsulado para memoria DRAM es el Hitachi HM514260ZP8 que ves en la imagen superior, o también hubo otros casos como el chip DRAM de 256 Kb de ISSI IS61C256, entre otros…
SIPP
El formato SIPP, que corresponde al acrónimo inglés de Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en Línea Simple), representa un tipo de encapsulado para módulos de memoria RAM. Estos módulos consisten en un circuito impreso o módulo en el cual se montan varios chips de memoria RAM. La disposición de los pines en el formato SIPP es correlativa a lo largo del borde del circuito, totalizando 30 pines. Estos pines se alinean con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del ordenador, proporcionando así una conexión directa.
El formato SIPP fue ampliamente utilizado en sistemas informáticos basados en la arquitectura 80286 y clones, como la memoria OKI 9A9Z. Cada módulo SIPP proporciona 8 bits de capacidad. Sin embargo, con el avance de la tecnología y la búsqueda de soluciones más eficientes, los módulos SIPP fueron eventualmente reemplazados por las SIMM (Single In-line Memory Module).
SIMM
Los módulos de memoria SIMM (Single In-line Memory Module) representan un formato estándar para módulos de memoria RAM, conformados por placas de circuito impreso en las cuales se montan los integrados de memoria DRAM. Estos módulos se introducen en zócalos ubicados sobre la placa base del ordenador, y su característica distintiva radica en que los contactos en ambas caras están interconectados, marcando así una diferencia clave respecto a sus sucesores, los DIMM (Dual In-line Memory Module).
Este formato, estandarizado por JEDEC bajo el número JESD-21C, fue sumamente popular desde principios de los años 80 hasta finales de los 90. En sus inicios, los circuitos integrados de memoria se soldaban o insertaban directamente en zócalos sobre la tarjeta madre, ocupando un área considerable y presentando desafíos en caso de fallas. Los módulos SIMM, al contrario, ofrecían una solución modular que simplificaba la instalación y permitía la reparación más sencilla en caso de problemas.
La propuesta de Skip Coppola en IBM de utilizar un formato SIPP de 3,5 pulgadas sin los pines frágiles fue fundamental para su adopción. IBM adoptó este estándar en su gama IBM Personal System/2, extendiéndose a todos los sistemas compatibles con CPU Intel 80286 e Intel 80386. También fue adoptado por Apple, Atari, y Commodore para sus respectivas plataformas. Estos módulos se construían con 8 chips + uno de paridad (9 bits) o sin paridad (8 bits), con capacidades que iban desde 256 KiB hasta 16 MiB.
Con la llegada del Intel 80486, se produjo una transición al nuevo formato de 108 mm (4,25 pulgadas) y 72 pines. Este cambio permitió conservar el factor de forma Baby AT en las placas madre, ya que un solo DIMM de 72 pines podía reemplazar cuatro SIMMs de 30 pines, cuadruplicando la capacidad de memoria. Estos módulos se fabricaron con tecnologías EDO/FPM/ECC y capacidades que variaban desde 1 MiB hasta 128 MiB, siendo estos últimos utilizados principalmente en entornos de servidores.
A medida que evolucionaron los buses de datos a 64 bits, los módulos SIMM fueron sucedidos por los DIMM, que se convirtieron en el nuevo estándar para los módulos de memoria en ordenadores personales, marcando un hito en la medida de la capacidad de almacenamiento en gigabytes. Los PC utilizaban tanto memoria de nueve bits (ocho bits para datos y un bit de paridad en 9 chips de memoria RAM dinámica) como memoria de ocho bits sin paridad.
Por cierto, hubo una época en la que la memoria SRAM, es decir, la memoria caché para la CPU, también se podía agregar de forma opcional en módulos similares a estos en la placa base. Algo parecido a lo que pasaba con el co-procesador matemático o FPU, que no se integraba dentro de las CPUs antes, y que terminó integrándose en la actualidad. Por eso, era común ver placas base con dos sockets, uno para la CPU y otro para el co-procesador, como el Intel 80287, 80387, o el 80487…
Volviendo al tema de la caché, los que lleváis más tiempo en la informática os acordaréis de COASt, que significa «cache on a stick» es un estándar de empaquetado para módulos que contienen SRAM utilizada como caché L2 en una computadora. Los módulos COASt se asemejan a los módulos SIMM, pero son algo más grandes. Fueron populares en las plataformas Apple y PC durante principios y mediados de la década de 1990, aunque con las computadoras más nuevas, la caché se incorporó en la CPU o la placa base.
Los módulos COASt permitían diversas configuraciones al desacoplar la caché de la placa o de la CPU. Esto permitía que sistemas de bajo coste funcionaran sin caché, mientras que sistemas más caros podían contar más o menos de esta memoria agregando estos módulos COASt. El estándar, originalmente definido por Motorola, tenía dimensiones entre 110 y 111 mm de ancho y entre 28 y 29 mm de alto, y la ranura o slot donde se insertaban se denominaba CLEP (Card Edge Low Profile), con unos 80 contactos y una mueca más o menos en el centro, entre los contactos 42 y 43. Estos módulos se encontraban en muchas máquinas Apple Macintosh antes del cambio a PowerPC.
Intel también utilizó el estándar COASt en sus sistemas Pentium, y se encontraba en sistemas Pentium MMX hasta 1998. Posteriormente, Intel combinó esta arquitectura con la CPU para crear el cartucho de CPU Slot 1, que contenía tanto la CPU como chips de caché separados, como en el caso del Pentium II o el Pentium III.
DIMM / UDIMM
Los módulos DIMM (Dual In-line Memory Module), al igual que sus predecesores SIMM, son dispositivos de memoria RAM utilizados en computadoras personales. Estos módulos se conectan directamente a las ranuras de la placa base y contienen circuitos integrados de memoria en pequeños circuitos impresos. A diferencia de los SIMM, los DIMM tienen cada contacto de una cara separado del opuesto en la otra, lo que duplica el número de contactos diferenciados con el bus.
Los DIMM reemplazaron gradualmente a los SIMM cuando los microprocesadores Intel Pentium se volvieron dominantes en el mercado. Estos módulos pueden comunicarse con la caché mediante un bus de 64 bits (o 72 bits en algunos casos), en comparación con los 32 bits de los SIMM.
Los módulos DIMM tienen circuitos de memoria en ambos lados de la placa de circuito impresa, con un total de 168 a 288 contactos, dependiendo de la tecnología. Los conectores DIMM han sido mejorados para facilitar la inserción mediante palancas a ambos lados de cada conector. Ejemplos de este tipo de módulos los tenemos en los SDR SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4 y la actual DDR5.
SO-DIMM
SO-DIMM (Small Outline DIMM) son una versión compacta de los módulos de memoria DIMM convencionales. Diseñados para adaptarse a dispositivos más pequeños, como los portátiles, algunos miniPCs, AIO, equipos como placas base Mini-ITX, e incluso también en algunas impresoras de gama alta con este tipo de memoria.
Existen SO-DIMM con 100, 144 o 200 pines. Los de 100 pines tienen transferencias de datos de 32 bits, mientras que los de 144 y 200 operan a 64 bits, comparables a los DIMM de 168 pines. Se diferencian visualmente por sus guías: los de 100 pines tienen dos hendiduras, los de 144 tienen una muesca central y los de 200 tienen una muesca similar pero más desplazada hacia un extremo.
Los SO-DIMM comparten características de voltaje y potencia con los DIMM estándar, aprovechando los avances en la tecnología DDR, DDR1, DDR2, DDR3, DDR4, y DDR5 ahora. Sin embargo, hay que destacar algo, y es que la memoria denominada LPDDR, como la LPDDR4 y LPDDR5 que vemos en algunos portátiles o equipos pequeños, no son módulos como tal, sino que son chips directamente soldados en la placa base… No obstante, no siempre están soldados, como veremos más adelante con los módulos CAMM.
PCMCIA Tipo I
Aunque no se trate de una memoria principal, una DRAM, sí que es un tipo de RAM, concretamente la SRAM, como la caché. Y por eso he querido citar a estas tarjetas PCMCIA Type I para agregar memoria de este tipo.
Este tipo de ranuras para tarjetas de este formato eran típicas en los portátiles de hace tiempo, pero para los más jóvenes que aún no lasa conozcan, decir que la PCMCIA Type I (Personal Computer Memory Card International Association Tipo I) es un estándar para tarjetas de expansión utilizadas comúnmente en dispositivos portátiles, con un grosor reducido y están diseñadas principalmente para agregar almacenamiento adicional o funciones específicas en equipos donde no se puede agregar tarjetas de expansión en su interior.
BGA
Antes he comentado sobre la LPDDR, que no se presenta en módulos, sino que se suelda directamente en la placa base. Algo parecido a lo que ocurre con los chips de memoria VRAM para la GPU o los HBM. Pues bien, este tipo de chips son BGA.
Un chip BGA (Ball Grid Array) es un tipo de encapsulado utilizado para dispositivos semiconductores, como procesadores, controladores y chips de memoria. Se caracteriza por tener una disposición de esferas (bolas) de soldadura en la parte inferior del chip, en lugar de pines individuales, como se vería en encapsulados tradicionales como el Dual In-line Package (DIP).
RIMM
RIMM (Rambus In-line Memory Module) son unos módulos de memoria RAM que emplean la tecnología RDRAM desarrollada por Rambus Inc. a finales de los años 90. Estos módulos fueron concebidos para ofrecer un rendimiento notablemente superior a los módulos SDRAM de 100 y 133 MHz disponibles en aquel periodo.
Los módulos RIMM RDRAM poseen 184 contactos y requieren disipadores de calor debido a sus elevadas frecuencias de operación. Estos disipadores, similares a los que posteriormente se popularizaron en memorias de alto rendimiento, cubren los chips del módulo como se aprecia en la imagen superior.
Los RIMM se basan en un bus de datos de 16 bits y estaban disponibles en velocidades de 300MHz, 356 MHz, 400 MHz, o la de 533Mhz, que tenía un rendimiento similar a una DDR 133, aunque con latencias peores.
Inicialmente diseñados para servidores basados en Intel Pentium 4, los módulos RIMM no son fabricados directamente por Rambus, sino que la compañía otorga licencias a terceros para su producción, siendo Samsung el principal fabricante. A pesar de su rendimiento superior en comparación con la SDRAM y las primeras generaciones de DDR, la RDRAM no logró una amplia aceptación en el mercado de PC debido a su alto coste. Por eso terminó quedando abandonada en pos de la DDR.
RDIMM
Son las siglas de Registered DIMM, y para más información, leer este artículo que dediqué a ella.
LRDIMM
Está relacionada con la RDIMM anterior, y también traté sobre ella en este artículo. Pero si quieres más datos, decir que sus siglas son debido a Load Reduced DIMM, es decir, un DIMM de baja carga. La diferencia entre los RDIMM y los LRDIMM, es que estos últimos no utilizan registros, sino que simplemente se almacenan en búfer. El búfer reduce la carga de energía en la placa base subyacente, pero tiene poco efecto en el rendimiento de la memoria. La memoria LRDIMM cambia el chip de registro de la memoria RDIMM por el chip de búfer de aislamiento de la memoria iMB (Búfer de memoria de aislamiento). El beneficio directo es reducir la carga del bus de memoria del servidor e incrementar aún más la capacidad de soporte de la RAM del servidor.
MR-DIMM
MR-DIMM (Multi-Ranked buffered DIMM), es otro tipo de memoria de alto rendimiento diseñada muy recientemente para HPC, si quieres saber más, también dediqué este otro artículo a ella. Además, verás también lo que es HBDIMM como la denominó AMD o la MCR-DIMM como la denominaría Intel…
MiniDIMM
Un módulo de memoria Mini-DIMM es una versión más pequeña y compacta de un módulo de memoria RAM que sigue el estándar DIMM. Aunque los detalles específicos pueden variar, generalmente los Mini-DIMM solo tienen una fila de chips DRAM, para bajar el perfil, dado que debe adaptarse a dispositivos electrónicos más compactos. Ejemplos de este tipo de módulos los tenemos en la DDR2 con 244 pines, o en los DDR1 que también tuvieron alguno con este formato, aunque no sea muy extendido…
MicroDIMM
Otro formato más reducido que el anterior es el Micro-DIMM, un formato del que vimos algunos módulos de memoria DDR1 y con 172 pines. Micro-DIMM es una versión más pequeña y compacta del estándar DIMM. Estos módulos están diseñados para adaptarse a dispositivos electrónicos más pequeños y delgados, como portátiles ultradelgadas y dispositivos integrados donde el espacio es crítico. Aunque los SO-DIMM han sido los claros dominantes en este sentido…
FB-DIMM
La memoria FB-DIMM (Fully-Buffered Dual Inline Memory Module) es una variante de las memorias DDR2 diseñada especialmente para aplicaciones en servidores, donde se requiere un transporte de datos rápido y eficiente. A diferencia de las memorias convencionales, la FB-DIMM utiliza una interfaz de memoria en serie punto a punto que conecta cada módulo FB-DIMM en cadena, eliminando la sobrecarga en el controlador de memoria que puede ocurrir con conexiones paralelas. Cada módulo FB-DIMM tiene pistas de memoria serial bidireccionales, similar a tecnologías como PCI Express, transmitiendo datos en paquetes controlados por un integrado AMB (Advanced Memory Buffer) en cada módulo.
Esta arquitectura permite que cada canal de FB-DIMM admita hasta 8 módulos FB-DIMM, y hasta 6 canales por cada controlador de memoria. La tecnología de bus de datos en serie reduce la complejidad del diseño al requerir menos líneas de trazado y coordinar de manera eficiente la información entre los módulos mediante los chips AMB. Esto mejora la capacidad de manejar densidades de memoria más altas sin comprometer la velocidad ni aumentar la probabilidad de errores de tiempo y señal en comparación con las memorias convencionales. La FB-DIMM ofrece una solución efectiva para las demandas de memoria en entornos de servidores modernos.
NVDIMM
Los módulos de memoria NVDIMM (Non-Volatile DIMM) son una categoría de memoria de acceso aleatorio diseñada para retener su contenido incluso en situaciones de pérdida de energía. Su objetivo es mejorar el rendimiento de la aplicación, la integridad y el tiempo de recuperación del sistema, así como la resistencia y fiabilidad de las unidades de estado sólido (SSD). Existen tres tipos principales de implementaciones de NVDIMM según los estándares JEDEC:
- NVDIMM-F, que utiliza almacenamiento flash.
- NVDIMM-N, que combina almacenamiento flash con DRAM tradicional.
- NVDIMM-P, una especificación más reciente que permite el almacenamiento en la memoria principal de la computadora utilizando la tecnología ReRAM y una interfaz DDR5.
Los NVDIMM surgieron como una evolución de los DIMM BBU (con respaldo de batería), que empleaban baterías para mantener la alimentación de la memoria volátil durante fallos de energía. Los NVDIMM modernos utilizan supercapacitores a bordo en lugar de baterías para almacenar energía, evitando los problemas asociados con la vida útil limitada y los desechos peligrosos de las baterías. Estos módulos han trascendido las aplicaciones RAID y se utilizan en dispositivos de almacenamiento rápido, procesamiento en memoria y entornos de centro de datos y computación en la nube.
DIMM BBU (Dual In-line Memory Module Battery Back-Up) es una tecnología de módulos de memoria que integra una batería de respaldo para mantener la alimentación de la memoria volátil durante cortos períodos de pérdida de energía. Originalmente diseñados para su uso como caché en RAID HBA (Adaptadores de Bus de Host) o sistemas, los DIMM BBU aseguran que los datos almacenados en la memoria volátil persistan incluso en caso de una interrupción inesperada de la alimentación eléctrica. Sin embargo, este enfoque tiene desafíos asociados, como la limitada vida útil de las baterías, la gestión de desechos y el contenido de metales pesados, lo que ha llevado a la evolución hacia tecnologías más modernas, como los NVDIMM que utilizan supercondensadores para almacenar energía.
UniDIMM
UniDIMM (Universal DIMM) es una especificación para módulos DIMM, como las diferentes generaciones de DDR, sin soporte para ninguna lógica de control de memoria adicional. Por lo tanto, el controlador de memoria del ordenador debe ser compatible con los estándares de memoria DDR. Intel creó la especificación UniDIMM para su microarquitectura Skylake, con controlador de memoria integrado (IMC).
UniDIMM sigue el factor de forma SO-DIMM y está disponible en dos dimensiones: 69.6×30 mm para la versión estándar y 69.6×20 mm para la versión de perfil bajo. Con un conector de 260 pines, UniDIMM comparte el mismo recuento de pines que los SO-DIMMs DDR4, pero su muesca de orientación evita la instalación incompatible al hacer que los UniDIMMs sean físicamente incompatibles con los zócalos estándar DDR3 y DDR4 SO-DIMM. Diseñados para trabajar con el voltaje de operación más bajo de los chips DDR4, los UniDIMMs incorporan circuitos de regulación de voltaje adicionales.
La especificación UniDIMM se creó para facilitar la transición del mercado de DDR3 a DDR4 SDRAM. Aunque no está estandarizado por JEDEC hasta abril de 2018 y aún no hay productos comerciales UniDIMM disponibles, la especificación cuenta con el respaldo principal de Kingston y Micron, aunque su implementación no resultó exitosa.
CAMM y CAMM2
La memoria CAMM (Compression Attach Memory Module) desarrollada por Dell está destinada a convertirse en el estándar de memoria para portátiles, eventualmente reemplazando, en ciertos tipos de sistemas, a los familiares SO-DIMM. La organización de estándares de memoria JEDEC ha recibido la aprobación unánime del grupo de trabajo encargado de votar sobre el uso de CAMM. Este grupo, compuesto por alrededor de 20 empresas relevantes en el espacio de la memoria, se compromete a desarrollar CAMM como un reemplazo para SO-DIMM que se implementará en ciertas clases de laptops en un futuro cercano. La especificación 1.0 se espera que se finalice este año. Además, JEDEC anunció en abril una expansión de la actividad de estandarización de CAMM para incluir CAMMs apilables y el soporte de LPDDR5, permitiendo que los módulos CAMM sean utilizables con la memoria DDR5 emergente en laptops y ofreciendo flexibilidad adicional a los diseñadores de portátiles al permitir la división y apilamiento de un único slot CAMM dual-channel en dos slots de canal único.
JEDEC ha anunciado por tanto el nuevo estándar de memoria CAMM2, diseñado para ser mucho más delgado que el formato SO-DIMM y un posible reemplazo. Este nuevo estándar representa el futuro de la memoria para PC y portátiles, con módulos DDR5 para PC y LPDDR5/LPDDR5X para dispositivos portátiles y pequeños.
Bajo el nombre JESD318, este concepto, basado en el CAMM de Dell, es un 57% más delgado que SO-DIMM, con chips solo en una cara del módulo, pero puede proporcionar hasta 128 GB de memoria, ofreciendo una alta densidad. Además, CAMM2 permite frecuencias más altas, superando los 6.400 MHz de las memorias DDR5 SO-DIMM y llegando hasta 7.500 MHz en el formato LPDDR5X de Samsung. La ventaja adicional es que un solo módulo de memoria CAMM2 proporciona Dual Channel, mejorando el ancho de banda y siendo útil en portátiles con gráficos integrados, lo que podría llevar a su adopción y reemplazar a SO-DIMM en el mercado después de más de 20 años de dominio.
AxDIMM
El concurso The Open Innovation Contest es una colaboración entre la industria y la academia para avanzar en la investigación de sistemas de memoria e inspirar la innovación tecnológica, y en este caso han colaborado con Samsung lanza oficialmente el concurso centrado en su plataforma de aceleración DIMM (AxDIMM o Accelerated x DIMM), que es una plataforma potente y flexible para la aceleración mediante near memory.
AXDIMM es compatible con DDR4 y utiliza un chip inteligente en el DIMM que funciona como un chip de búfer tradicional, pero también contiene núcleos de CPU ARM y tejidos FPGA para acelerar diversas funciones. Al permitir el acceso simultáneo a cada rango dentro de un DIMM, AXDIMM mejora el ancho de banda del proceso y el rendimiento de aplicaciones intensivas en memoria. Además, al procesar datos localmente en el DIMM en lugar de transferirlos hasta la CPU, AXDIMM reduce el consumo de energía, siendo una plataforma ideal para el procesamiento cercano a la memoria.
Samsung está enfocando su investigación en dos áreas principales: inteligencia artificial, que incluye sistemas de recomendación, procesamiento de lenguaje natural, procesamiento de imágenes, etc., y bases de datos, que incluyen bases de datos en DRAM (IMDB), entre otros.
Stacked
Aunque, aquí sucede algo parecido a la DIP, ZIP, o las tarjetas PCMCIA, en este caso tampoco se trata de un módulo como tal, pero sí que puede ser usada en módulos si se quiere. La stacked memory o memoria apilada se refiere a una técnica en la cual múltiples capas de chips de memoria se apilan verticalmente en un solo dispositivo. Esta configuración permite aumentar significativamente la capacidad de almacenamiento y la densidad de datos en comparación con los enfoques de memoria convencionales. En lugar de extenderse horizontalmente, los chips de memoria se colocan uno encima del otro, conectados mediante tecnologías avanzadas de interconexión tridimensional.
La memoria apilada se utiliza en diversos tipos de dispositivos, incluidas memorias RAM y NAND Flash, o HBM. Al apilar los chips de memoria, se puede lograr un mayor rendimiento y eficiencia en el uso del espacio, lo que resulta especialmente beneficioso en dispositivos con limitaciones de espacio físico. Y se pueden usar en módulos DIMM convencionales sin problema alguno…
Tarjetas PCIe
La memoria DRAM en tarjetas PCIe representa una estrategia innovadora para mejorar el rendimiento y la capacidad de almacenamiento en sistemas informáticos. A diferencia de las soluciones de almacenamiento tradicionales que dependen de dispositivos de almacenamiento como SSDs o discos duros, las tarjetas PCIe con memoria DRAM ofrecen velocidades de acceso extremadamente rápidas al aprovechar la naturaleza volátil y de acceso aleatorio de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM). Otra especie de memoria intermedia como la Intel Optane, etc.
Un ejemplo destacado fue la Gigabyte i-RAM, una tarjeta PCIe que incorpora módulos de memoria DRAM para crear un área de almacenamiento de alta velocidad. La i-RAM, lanzada en la década de 2000, permitía a los usuarios utilizar módulos de memoria DDR para crear una unidad de almacenamiento temporal que superaba en velocidad a muchos discos duros de la época. Sin embargo, es importante tener en cuenta que la información almacenada en la memoria DRAM de estas tarjetas es volátil y se pierde en caso de pérdida de energía. No obstante, no resultó exitosa, como otros inventos de la época como las PPU de las tarjetas Physx de AGEIA que también terminaría por ser devorada por las nuevas GPUs…
Otro ejemplo moderno es la tecnología CLX de Samsung, que utiliza una tarjeta PCIe para implementar una memoria DRAM de alto rendimiento. Estas soluciones se han vuelto esenciales en entornos donde la velocidad de acceso a los datos es crítica, como en la edición de video de alta resolución o el procesamiento de grandes conjuntos de datos. Aunque estas tarjetas ofrecen beneficios significativos en términos de velocidad, es importante considerar su capacidad y la volatilidad inherente de la memoria DRAM en comparación con las soluciones de almacenamiento no volátil como los SSD.
eDRAM
Este ejemplo tampoco es un módulo, pero también es un tipo de memoria RAM. La memoria eDRAM, embedded DRAM, es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se integra directamente en el mismo encapsulado que un ASIC o un microprocesador. Aunque su costo por bit es más alto que la memoria DRAM independiente equivalente, sus beneficios de rendimiento superan estas desventajas en muchas aplicaciones.
Al incorporar la eDRAM en el mismo empaquetado que el procesador, se logran buses más anchos y operaciones más rápidas. A pesar de que el proceso de fabricación de la eDRAM es más costoso que el de la eSRAM (SRAM embebida), el ahorro de espacio significativo minimiza el costo, especialmente en diseños con cantidades considerables de memoria.
La eDRAM se utiliza en diversos dispositivos, incluyendo el procesador POWER7 de IBM, CPUs de Intel como Haswell con gráficos integrados GT3e, y consolas de videojuegos como PlayStation, Nintendo Wii, Xbox, así como en dispositivos móviles como iPhone y Zune HD. Aunque la eDRAM requiere un refresco periódico de las celdas de memoria, su integración con el controlador de refresco y las técnicas de arquitectura permiten mitigar sus desafíos, haciéndola una opción eficiente en términos de rendimiento y espacio en muchos escenarios de aplicación.
Algo parecido pasa con la HBM, que cada vez cobra más interés entre las aplicaciones de alto rendimiento, especialmente en los sistemas dedicados a IA, que también está integrándose en el empaquetado o cerca del empaquetado del procesador para conseguir beneficios…
Espero que ahora tengas una idea más clara de todos los formatos de memoria RAM que nos han venido acompañando o que nos acompañarán por varios años más…
